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首頁產(chǎn)品區(qū)Galaxy S系列

10nm有多屌 最詳盡三星S8 跑分測(cè)試 圖片

去年11月份,美國高通公司宣布與三星電子合作共同開發(fā)下一代驍龍835處理器,最大特色是采用10納米制程工藝打造,高通方面表示,由于采用全新的10納米制程工藝,驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移動(dòng)設(shè)備的用戶體驗(yàn)。

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除此之外,借助10納米工藝制程,高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸,讓OEM廠商可以進(jìn)一步優(yōu)化移動(dòng)設(shè)備的機(jī)身內(nèi)部結(jié)構(gòu),比如增加電池或是實(shí)現(xiàn)更輕薄的設(shè)計(jì)等等。此外,制程工藝的提升也會(huì)改善電池續(xù)航能力。 

通過已經(jīng)的介紹,里外都透漏著擁有10nm制成的高通驍龍835在性能和能耗上是多么的屌炸天!

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而又有多少人知道什么是工藝制成呢? 

CPU制作工藝指的是在生產(chǎn)CPU過程中,要加工各種電路和電子元件,制造導(dǎo)線連接各個(gè)元器件等?,F(xiàn)在其生產(chǎn)的精度以納米(以前用微米)來表示,精度越高,生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以容納更多的電子元晶圓局部 件,連接線也越細(xì),有利于提高CPU的集成度。制造工藝的納米數(shù)是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢(shì)是向密集度愈高的方向發(fā)展,密度愈高的IC電路設(shè)計(jì),意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。微電子技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步,主要是靠工藝技術(shù)的不斷改進(jìn)。 

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芯片制造工藝從1971年開始,經(jīng)歷了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800納米、600納米、350納米、250納米、180納米、130納米、90納米、65納米、45納米、32納米、22納米,一直發(fā)展到目前2015年的14納米,而最先進(jìn)的10納米也來到我們身邊。 

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前一段時(shí)間,搭載高通驍龍835處理器的三星Galaxy S8/S8+正式發(fā)布,而作為安卓陣營中的機(jī)皇其性能表現(xiàn)到底有多橫呢?下面就來通過跑分測(cè)試一起來看一下吧。

安兔兔評(píng)測(cè) 

首先,先來進(jìn)行安兔兔評(píng)測(cè)跑分測(cè)試,而就在2月份,安兔兔公布了手機(jī)性能排行榜TOP10,其中蘋果iPhone 7 Plus穩(wěn)居榜首(184981分),iPhone 7175805分)和一加手機(jī)3T163044分)則仍然分別位居第二和第三。

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但是需要注意的是,這個(gè)得分是在最理想的情況下的得分。實(shí)際機(jī)型,并不會(huì)有如此高的跑分。就拿Phone 7 Plus舉例,實(shí)測(cè)只有150255分,比安兔兔官方公布的跑分少了3萬分。 

而三星Galaxy S8+在實(shí)測(cè)中的跑分如果在最理想的情況下,跑出的分?jǐn)?shù)會(huì)更嚇人。 

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Geekbench 4 

然后又進(jìn)行了Geekbench 4跑分測(cè)試,Geekbench 4測(cè)試軟件分別測(cè)試出高通835的單核性能和多核性能,單核分?jǐn)?shù)考研的是CPU最強(qiáng)核心的絕對(duì)性能,而多核心得分更多的是考驗(yàn)多核心處理性能以及頻率的穩(wěn)定性。當(dāng)然兩組的分都是越大越好。 

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如圖所示,單核分為1921,多核得分為5634分。從Geekbench 4數(shù)據(jù)庫的排行來看,單核心性能和多核心性能均是最高。

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Geekbench 3單核分為1768,多核得分為5601分。


3DMark  

3DMark是最權(quán)威的圖形測(cè)試軟件,極限測(cè)試手機(jī)GPU的性能,能夠全面的測(cè)試包括多渲染目標(biāo)、即時(shí)渲染、統(tǒng)一緩沖、轉(zhuǎn)換反饋,體積光照等在內(nèi)的各方面性能。 

得分方面,三星Galaxy S8+3DMark 得分為2177分,達(dá)到了移動(dòng)端的頂級(jí)水平。 

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在性能方面,三星Galaxy S8+搭載的10nm的高通驍龍835十分強(qiáng)悍,并且穩(wěn)穩(wěn)的超過了iPhone 7 Plus所搭載的A10處理器,可以稱為目前安卓陣營中真正的機(jī)皇,而10nm工藝帶來的優(yōu)勢(shì),不僅僅是性能上的提升,能耗比才是重中之重。 

除此以外,還進(jìn)一步對(duì)三星Galaxy S8+的內(nèi)存讀取速度進(jìn)行了測(cè)試,運(yùn)行的測(cè)試軟件是AndroBench測(cè)試,下面來看看結(jié)果吧。

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AndroBench是一個(gè)基準(zhǔn)測(cè)試應(yīng)用程序,可以衡量你的Android設(shè)備的存儲(chǔ)性能。 AndroBench提供兩種方式,第一種可以快速與其他設(shè)備的存儲(chǔ)進(jìn)行比較。第二種 SQLite可以查詢數(shù)據(jù)庫表。 

通過測(cè)試截圖可以看出讀取速度為744.56MB/s,寫入速度為155.84MB/s。



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